APTM120U10SCAVG, Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 86А; SP6; винтами; Idm: 464А

APTM120U10SCAVG
000 
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "APTM120U10SCAVG, Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 86А; SP6; винтами; Idm: 464А" 1.

Артикул производителя
APTM120U10SCAVG MICROCHIP TECHNOLOGY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
диод SiC/транзистор
Корпус
SP6
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
APTM120U10SCAVG
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Рассеиваемая мощность
3,29кВт
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом
Технология
POWER MOS 7®, SiC
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
86А
Ток стока в импульсном режиме
464А
Топология
одиночный транзистор + последовательный диод + параллельный диод
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены