Конструкция диода
диод SiC/транзистор
Корпус
SP6
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
APTM120U10SCAVG
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Рассеиваемая мощность
3,29кВт
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом
Технология
POWER MOS 7®, SiC
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
86А
Ток стока в импульсном режиме
464А
Топология
одиночный транзистор + последовательный диод + параллельный диод
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены