Вид канала
обедненный
Вид транзистора
RF
Вид упаковки
туба
Выходная мощность
900Вт
Конструкция диода
общий источник
Корпус
T3A-8
КПД
55%
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
500В
Обозначение производителя
ARF475FL
Полярность
полевой
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Рассеиваемая мощность
910Вт
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
10А
Усиление
16дБ
Характеристики полупроводниковых элементов
dual gate
Частота
128МГц
Электрический монтаж
THT, коннекторы FASTON, пайка
Отзывы не найдены