Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
55/-55В
Обозначение производителя
AUIRF7343QTR
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
4,7Вт
Сопротивление в открытом состоянии
43/95мОм
Технология
HEXFET®
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
4,7/-3,4А
Отзывы не найдены