Вид упаковки
бобина, лента
Время готовности
6нс
Емкость
2пФ
Импульсный ток
4А
Конструкция диода
двойной, общий анод
Монтаж
SMD
Обозначение производителя
BAW56LT1G
Обратное напряжение макс.
70В
Падение напряжения макс.
1,25В
Производитель
ONSEMI
Прямой ток
0,2А
Рассеиваемая мощность
0,3Вт
Тип диода
импульсный
Ток утечки
50мкА
Характеристики полупроводниковых элементов
быстрое переключение
Отзывы не найдены