Активное состояние
высокое
Вид выхода
N-Channel
Вид микросхемы
high-side
Выходной ток
0,5А
Защита
от перегрева OTP, от сверхтоков OCP, от снижения напряжения UVP
Кол-во каналов
1
Корпус
TSSOP-B8J
Монтаж
SMD
Обозначение производителя
BD82006FVJ-MGE2
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рабочая температура
-40...85°C
Сопротивление в открытом состоянии
0,11Ом
Тип микросхемы
power switch
Отзывы не найдены