Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

BGH50N65HF1, Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; 357Вт; TO247-3

Написать отзыв
BGH50N65HF1
2 24648 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
30+
150+
600+
Цена
2 033.45 ₽
1 789.61 ₽
1 499.12 ₽
1 445.42 ₽
Доступность: 58 шт.

Срок поставки 6 недель

+ −

Минимальное количество для товара "BGH50N65HF1, Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; 357Вт; TO247-3" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Время включения
54нс
Время выключения
256нс
Заряд затвора
308нC
Корпус
TO247-3
Монтаж
THT
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Обозначение производителя
BGH50N65HF1
Производитель
BASiC SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
357Вт
Технология
Field Stop, SiC SBD, Trench
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
200А
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены