BGH50N65HF1, Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; 357Вт; TO247-3

BGH50N65HF1

Срок поставки 4-6 недель

2 423.99 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
30+
150+
600+
Цена
2 194.74 ₽
1 930.98 ₽
1 617.91 ₽
1 562.04 ₽
Доступность: 57 шт.
 

Минимальное количество для товара "BGH50N65HF1, Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; 357Вт; TO247-3" 1.

Артикул производителя
BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Время включения
54нс
Время выключения
256нс
Заряд затвора
308нC
Код производителя
BGH50N65HF1
Корпус
TO247-3
Монтаж
THT
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Производитель
BASiC SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
357Вт
Технология
Field Stop, SiC SBD, Trench
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
200А
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode

Отзывы не найдены

Описание (bgh50n65hf1.pdf, 2,323 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России