BGH75N120HF1, Транзистор: IGBT; SiC SBD; 1,2кВ; 75А; 568Вт; TO247-3

BGH75N120HF1
2 12588 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
Цена
1 922.54 ₽
1 700.70 ₽
1 529.05 ₽
Доступность: 16 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "BGH75N120HF1, Транзистор: IGBT; SiC SBD; 1,2кВ; 75А; 568Вт; TO247-3" 1.

Артикул производителя
BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Время включения
140нс
Время выключения
443нс
Заряд затвора
398нC
Корпус
TO247-3
Монтаж
THT
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Обозначение производителя
BGH75N120HF1
Производитель
BASiC SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
568Вт
Технология
Field Stop, SiC SBD, Trench
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
75А
Ток коллектора в импульсе
200А
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены