BGH75N65HF1, Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 75А; 405Вт; TO247-3

BGH75N65HF1
1 99472 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
30+
150+
Цена
1 793.13 ₽
1 584.51 ₽
1 338.03 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "BGH75N65HF1, Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 75А; 405Вт; TO247-3" 1.

Артикул производителя
BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Время включения
104нс
Время выключения
376нс
Заряд затвора
444нC
Корпус
TO247-3
Монтаж
THT
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Обозначение производителя
BGH75N65HF1
Производитель
BASiC SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
405Вт
Технология
Field Stop, SiC SBD, Trench
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
75А
Ток коллектора в импульсе
300А
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены