BGH75N65ZF1, Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 75А; 405Вт; TO247-4

BGH75N65ZF1

Срок поставки 4-6 недель

2 633.53 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
30+
150+
600+
Цена
2 360.72 ₽
2 077.24 ₽
1 741.17 ₽
1 677.90 ₽
Доступность: 29 шт.
 

Минимальное количество для товара "BGH75N65ZF1, Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 75А; 405Вт; TO247-4" 1.

Артикул производителя
BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Время включения
84нс
Время выключения
565нс
Заряд затвора
444нC
Код производителя
BGH75N65ZF1
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Производитель
BASiC SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
405Вт
Технология
Field Stop, SiC SBD, Trench
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
75А
Ток коллектора в импульсе
300А
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode

Отзывы не найдены

Описание (bgh75n65zf1.pdf, 1,527 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России