Вид упаковки
бобина, лента
Конструкция диода
одиночный диод
Корпус
1206
Монтаж
SMD
Напряжение стабилизации
3,9В
Обозначение производителя
BZS55C3V9 RAG
Погрешность
±5%
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Тип диода
стабилитрон
Ток стабилизации
5мА
Ток утечки
2мкА
Отзывы не найдены