Вид упаковки
бобина, лента
Конструкция диода
одиночный диод
Корпус
1206
Монтаж
SMD
Напряжение стабилизации
4,3В
Обозначение производителя
BZS55C4V3 RAG
Погрешность
±5%
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Тип диода
стабилитрон
Ток стабилизации
5мА
Ток утечки
1мкА
Отзывы не найдены