Вид упаковки
бобина, лента
Конструкция диода
одиночный диод
Корпус
SOD123
Монтаж
SMD
Напряжение стабилизации
3,3В
Обозначение производителя
BZT52B3V3-G RHG
Погрешность
±2%
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
0,41Вт
Тип диода
стабилитрон
Ток стабилизации
5мА
Ток утечки
5мкА
Отзывы не найдены