Вид упаковки
бобина, лента
Конструкция диода
одиночный диод
Корпус
SOD123F
Монтаж
SMD
Напряжение стабилизации
4,7В
Обозначение производителя
BZT52B4V7 RHG
Погрешность
±2%
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Тип диода
стабилитрон
Ток стабилизации
5мА
Ток утечки
2,7мкА
Отзывы не найдены