Вид упаковки
бобина, лента
Конструкция диода
одиночный диод
Корпус
SOD123F
Монтаж
SMD
Напряжение стабилизации
8,2В
Обозначение производителя
BZT52C8V2 RHG
Погрешность
±5%
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Тип диода
стабилитрон
Ток стабилизации
5мА
Ток утечки
630нА
Отзывы не найдены