Вид упаковки
бобина, лента
Конструкция диода
одиночный диод
Корпус
MiniMELF glass
Монтаж
SMD
Напряжение стабилизации
3В
Обозначение производителя
BZV55B3V0 L1G
Погрешность
±2%
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Тип диода
стабилитрон
Ток стабилизации
5мА
Ток утечки
4мкА
Отзывы не найдены