Вид упаковки
бобина, лента
Конструкция диода
одиночный диод
Корпус
DO35
Монтаж
THT
Напряжение стабилизации
3,6В
Обозначение производителя
BZX55C3V6 R0G
Погрешность
±5%
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Тип диода
стабилитрон
Ток стабилизации
5мА
Ток утечки
2мкА
Отзывы не найдены