Вид упаковки
бобина, лента
Конструкция диода
одиночный диод
Корпус
DO35
Монтаж
THT
Напряжение стабилизации
8,2В
Обозначение производителя
BZX55C8V2 R0G
Погрешность
±5%
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Тип диода
стабилитрон
Ток стабилизации
5мА
Ток утечки
0,1мкА
Отзывы не найдены