Вид упаковки
бобина, лента
Конструкция диода
одиночный диод
Корпус
DO41
Монтаж
THT
Напряжение стабилизации
3,9В
Обозначение производителя
BZX85C3V9 R0G
Погрешность
±5%
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
1,3Вт
Тип диода
стабилитрон
Ток стабилизации
60мА
Ток утечки
20мкА
Отзывы не найдены