Вид упаковки
бобина, лента
Конструкция диода
одиночный диод
Корпус
DO41
Монтаж
THT
Напряжение стабилизации
4,3В
Обозначение производителя
BZX85C4V3 R0G
Погрешность
±5%
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
1,3Вт
Тип диода
стабилитрон
Ток стабилизации
50мА
Ток утечки
3мкА
Отзывы не найдены