Вид упаковки
бобина, лента
Конструкция диода
одиночный диод
Корпус
DO41
Монтаж
THT
Напряжение стабилизации
6,8В
Обозначение производителя
BZX85C6V8 R0G
Погрешность
±5%
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
1,3Вт
Тип диода
стабилитрон
Ток стабилизации
35мА
Ток утечки
1мкА
Отзывы не найдены