Вид памяти
EEPROM
Вид упаковки
бобина, лента
Виды интерфейса
последовательный
Время доступа
400нс
Интерфейс
I2C
Корпус
SOIC8
Монтаж
SMD
Обозначение производителя
CAT24C512WI-GT3
Память
512кб EEPROM
Производитель
ONSEMI
Рабочая температура
-40...85°C
Рабочее напряжение
1,8...5,5В
Структура памяти
64Кx8бит
Тактовая частота
1МГц
Тип микросхемы
память EEPROM
Отзывы не найдены