DAGNH1501200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

DAGNH1501200-DCO

Срок поставки 4-6 недель

15 638.33 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
14 061.67 ₽
12 430.00 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "DAGNH1501200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Артикул производителя
DAGNH1501200 DACO Semiconductor
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Код производителя
DAGNH1501200
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
HW9434
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
DACO Semiconductor
Рассеиваемая мощность
780Вт
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
150А
Ток коллектора в импульсе
300А
Топология
полумост IGBT
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России