DAGNH200600, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В

DAGNH200600-DCO

Срок поставки 4-6 недель

12 906.67 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
11 605.00 ₽
10 266.67 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "DAGNH200600, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Артикул производителя
DAGNH200600 DACO Semiconductor
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Код производителя
DAGNH200600
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
HW9434
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обратное напряжение макс.
0,6кВ
Производитель
DACO Semiconductor
Рассеиваемая мощность
780Вт
Технология
NPT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
200А
Ток коллектора в импульсе
400А
Топология
полумост IGBT
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Описание (dagnh200600.pdf, 692 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России