DGD1503S8-13, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -600÷290мА; Ch: 1

DGD1503S8-13
15669 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
250+
1000+
2500+
5000+
Цена
140.85 ₽
133.80 ₽
124.12 ₽
113.56 ₽
105.63 ₽
101.23 ₽
96.83 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "DGD1503S8-13, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -600÷290мА; Ch: 1" 1.

Артикул производителя
DGD1503S8-13 DIODES INCORPORATED
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид микросхемы
high-side, контроллер затвора
Вид упаковки
бобина, лента
Время нарастания импульса
170нс
Время падения импульса
90нс
Выходной ток
-600...290мА
Кол-во каналов
1
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Обозначение производителя
DGD1503S8-13
Производитель
DIODES INCORPORATED
Рабочая температура
-40...125°C
Тип микросхемы
driver
Топология
полумост IGBT, полумост MOSFET

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены