DGD1503S8-13, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -600÷290мА; Ch: 1

DGD1503S8-13

Срок поставки 4-6 недель

168.45 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
250+
1000+
2500+
5000+
Цена
152.01 ₽
144.62 ₽
133.94 ₽
122.43 ₽
114.22 ₽
109.29 ₽
104.35 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "DGD1503S8-13, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -600÷290мА; Ch: 1" 1.

Артикул производителя
DGD1503S8-13 DIODES INCORPORATED
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид микросхемы
high-side, контроллер затвора
Вид упаковки
бобина, лента
Время нарастания импульса
170нс
Время падения импульса
90нс
Выходной ток
-600...290мА
Код производителя
DGD1503S8-13
Кол-во каналов
1
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Производитель
DIODES INCORPORATED
Рабочая температура
-40...125°C
Тип микросхемы
driver
Топология
полумост IGBT, полумост MOSFET

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России