Вид микросхемы
high-/low-side, контроллер затвора
Вид упаковки
бобина, лента
Время нарастания импульса
220нс
Время падения импульса
80нс
Выходной ток
-600...290мА
Кол-во каналов
1
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Обозначение производителя
DGD2005S8-13
Производитель
DIODES INCORPORATED
Рабочая температура
-40...125°C
Тип микросхемы
driver
Топология
полумост MOSFET
Отзывы не найдены