Москва
 
+7 (499) 550-50-61
 

DGD2106MS8-13, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -600÷290мА; Ch: 2

Написать отзыв
DGD2106MS8-13
32576 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
50+
100+
250+
500+
Цена
262.31 ₽
242.42 ₽
213.07 ₽
191.29 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "DGD2106MS8-13, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -600÷290мА; Ch: 2" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
DGD2106MS8-13 DIODES INCORPORATED
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид микросхемы
high-/low-side, контроллер затвора
Вид упаковки
бобина, лента
Время нарастания импульса
220нс
Время падения импульса
80нс
Выходной ток
-600...290мА
Защита
от снижения напряжения UVP
Класс напряжения
600В
Кол-во каналов
2
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Обозначение производителя
DGD2106MS8-13
Производитель
DIODES INCORPORATED
Рабочая температура
-40...125°C
Тип микросхемы
driver
Топология
полумост IGBT, полумост MOSFET
Характеристики интегральных схем
integrated bootstrap functionality
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены