Вид микросхемы
high-/low-side, контроллер затвора
Вид упаковки
бобина, лента
Время нарастания импульса
220нс
Время падения импульса
80нс
Выходной ток
-600...290мА
Защита
от снижения напряжения UVP
Класс напряжения
600В
Кол-во каналов
2
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Обозначение производителя
DGD2106MS8-13
Производитель
DIODES INCORPORATED
Рабочая температура
-40...125°C
Тип микросхемы
driver
Топология
полумост IGBT, полумост MOSFET
Характеристики интегральных схем
integrated bootstrap functionality
Отзывы не найдены