Москва
 +7(499)550-50-61

DGD2181S8-13, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -2,3÷1,9А; Ch: 1

Написать отзыв
DGD2181S8-13
230.43 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
250+
1000+
2500+
5000+
Цена
207.75 ₽
198.24 ₽
183.61 ₽
167.52 ₽
155.82 ₽
147.77 ₽
143.38 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "DGD2181S8-13, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -2,3÷1,9А; Ch: 1" 1.

Отложить
Артикул производителя
DGD2181S8-13 DIODES INCORPORATED
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид микросхемы
high-/low-side, контроллер затвора
Вид упаковки
бобина, лента
Время нарастания импульса
60нс
Время падения импульса
35нс
Выходной ток
-2,3...1,9А
Кол-во каналов
1
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Обозначение производителя
DGD2181S8-13
Производитель
DIODES INCORPORATED
Рабочая температура
-40...125°C
Тип микросхемы
driver
Топология
полумост IGBT, полумост MOSFET
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России