Вид микросхемы
high-/low-side, контроллер затвора
Вид упаковки
бобина, лента
Время нарастания импульса
50нс
Время падения импульса
45нс
Выходной ток
-4,5...4,5А
Кол-во каналов
1
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Обозначение производителя
DGD2190MS8-13
Производитель
DIODES INCORPORATED
Рабочая температура
-40...125°C
Тип микросхемы
driver
Топология
полумост IGBT, полумост MOSFET
Отзывы не найдены