DGD2190MS8-13, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -4,5÷4,5А; Ch: 1

DGD2190MS8-13
298.10 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
250+
1000+
2500+
5000+
Цена
269.20 ₽
256.27 ₽
237.26 ₽
215.97 ₽
200.76 ₽
193.92 ₽
185.55 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "DGD2190MS8-13, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -4,5÷4,5А; Ch: 1" 1.

Артикул производителя
DGD2190MS8-13 DIODES INCORPORATED
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид микросхемы
high-/low-side, контроллер затвора
Вид упаковки
бобина, лента
Время нарастания импульса
50нс
Время падения импульса
45нс
Выходной ток
-4,5...4,5А
Кол-во каналов
1
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Обозначение производителя
DGD2190MS8-13
Производитель
DIODES INCORPORATED
Рабочая температура
-40...125°C
Тип микросхемы
driver
Топология
полумост IGBT, полумост MOSFET

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России