Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
11,7/11,4нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30/-30В
Обозначение производителя
DI006H03SQ
Полярность
полевой
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
1,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
40/80мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET x2
Ток стока
4,8/-3,3А
Ток стока в импульсном режиме
60...-30А
Характеристики полупроводниковых элементов
MOSFET H-Bridge
Отзывы не найдены