FDS6673BZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8

FDS6673BZ

Срок поставки 4-6 недель

270.41 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
500+
Цена
188.78 ₽
159.86 ₽
125.85 ₽
108.84 ₽
103.74 ₽
Доступность: 1370 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDS6673BZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8" 1.

Артикул производителя
FDS6673BZ ONSEMI
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
65нC
Код производителя
FDS6673BZ
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±25В
Напряжение сток-исток
-30В
Полярность
полевой
Производитель
ONSEMI
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
12мОм
Технология
PowerTrench®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-14,5А

Отзывы не найдены

Описание (fds6673bz.pdf, 326 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России