FQB8P10TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -5,7А; Idm: -32А; 65Вт; D2PAK

FQB8P10TM

Срок поставки 4-6 недель

230.44 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
800+
Цена
196.43 ₽
171.77 ₽
155.61 ₽
143.71 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "FQB8P10TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -5,7А; Idm: -32А; 65Вт; D2PAK" 1.

Артикул производителя
FQB8P10TM ONSEMI
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
15нC
Код производителя
FQB8P10TM
Корпус
D2PAK
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
-100В
Полярность
полевой
Производитель
ONSEMI
Рассеиваемая мощность
65Вт
Сопротивление в открытом состоянии
530мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-5,7А
Ток стока в импульсном режиме
-32А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России