Конструкция диода
общий эмиттер, транзистор/транзистор
Корпус
AG-IHVB190-3
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
FZ2000R33HE4BOSA1
Обратное напряжение макс.
3,3кВ
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Технология
TRENCHSTOP™
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
2кА
Ток коллектора в импульсе
4кА
Топология
IGBT x3
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены