FZ2000R33HE4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x3

FZ2000R33HE4BOSA1
000 
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "FZ2000R33HE4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x3" 1.

Артикул производителя
FZ2000R33HE4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
общий эмиттер, транзистор/транзистор
Корпус
AG-IHVB190-3
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
FZ2000R33HE4BOSA1
Обратное напряжение макс.
3,3кВ
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Технология
TRENCHSTOP™
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
2кА
Ток коллектора в импульсе
4кА
Топология
IGBT x3
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены