Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
AG-62MMES
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
FZ900R12KE4HOSA1
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
4,3кВт
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
900А
Ток коллектора в импульсе
1,8кА
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены