Вид канала
обогащенный
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
-5...15В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
G3R20MT12N
Полярность
полевой
Производитель
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
365Вт
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм
Технология
G3R™, SiC
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
74А
Ток стока в импульсном режиме
240А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены