G3R20MT12N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт

G3R20MT12N
9 63116 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
40+
100+
Цена
9 279.93 ₽
8 947.18 ₽
8 799.30 ₽
8 688.38 ₽
Доступность: 120 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "G3R20MT12N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт" 1.

Артикул производителя
G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
-5...15В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
G3R20MT12N
Полярность
полевой
Производитель
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
365Вт
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм
Технология
G3R™, SiC
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
74А
Ток стока в импульсном режиме
240А
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены