Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

GD1000HFX170P2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В

Написать отзыв
GD1000HFX170P2S
000 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "GD1000HFX170P2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
GD1000HFX170P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
P2.0
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
GD1000HFX170P2S
Обратное напряжение макс.
1,7кВ
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Технология
Trench FS IGBT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
1кА
Ток коллектора в импульсе
2кА
Топология
полумост IGBT
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены