Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

GD100SGY120D6S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор; D6

Написать отзыв
GD100SGY120D6S
4 33715 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
3 833.63 ₽
3 448.06 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "GD100SGY120D6S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор; D6" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
GD100SGY120D6S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
D6
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
GD100SGY120D6S
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Технология
Advanced Trench FS IGBT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
100А
Ток коллектора в импульсе
200А
Топология
одиночный транзистор
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены