Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

GD10PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А

Написать отзыв
GD10PJX65F1S
6 31155 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
25+
Цена
5 582.39 ₽
5 018.94 ₽
4 687.50 ₽
Доступность: 24 шт.

Срок поставки 6 недель

+ −

Минимальное количество для товара "GD10PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
диод/транзистор
Корпус
F1.1
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
GD10PJX65F1S
Обратное напряжение макс.
650В
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Технология
Trench FS IGBT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
10А
Ток коллектора в импульсе
20А
Топология
3-фазный диодный мост, 3-фазный мост IGBT выход OE, boost chopper, термистор NTC
Электрический монтаж
Press-in PCB

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены