GD10PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А

GD10PJX65F1S

Срок поставки 4-6 недель

6 422.50 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
25+
Цена
5 680.00 ₽
5 107.50 ₽
4 768.33 ₽
Доступность: 19 шт.
 

Минимальное количество для товара "GD10PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А" 1.

Артикул производителя
GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Код производителя
GD10PJX65F1S
Конструкция диода
диод/транзистор
Корпус
F1.1
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обратное напряжение макс.
650В
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Технология
Trench FS IGBT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
10А
Ток коллектора в импульсе
20А
Топология
3-фазный диодный мост, 3-фазный мост IGBT выход OE, boost chopper, термистор NTC
Электрический монтаж
Press-in PCB

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России