Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

GD10PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А

Написать отзыв
GD10PJX65L2S
4 762 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3+
12+
24+
Цена
4 202 ₽
3 776 ₽
3 525 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "GD10PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
GD10PJX65L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
диод/транзистор
Корпус
L2.5
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
GD10PJX65L2S
Обратное напряжение макс.
650В
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Технология
Trench FS IGBT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
10А
Ток коллектора в импульсе
20А
Топология
3-фазный диодный мост, 3-фазный мост IGBT выход OE, boost chopper, термистор NTC
Электрический монтаж
Press-in PCB
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены