Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
C3 130mm
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
GD1200SGX170C3SN
Обратное напряжение макс.
1,7кВ
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Технология
Trench FS IGBT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
1,2кА
Ток коллектора в импульсе
2,4кА
Топология
IGBT x2
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены