Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
P2.0
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
GD1400HFY120P2S
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Технология
Advanced Trench FS IGBT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
1,4кА
Ток коллектора в импульсе
2,8кА
Топология
полумост IGBT
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены