Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

GD150HHU120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 150А

Написать отзыв
GD150HHU120C6S
000 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "GD150HHU120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 150А" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
GD150HHU120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
C6 62mm
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
GD150HHU120C6S
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Технология
NPT Ultra Fast IGBT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
150А
Ток коллектора в импульсе
300А
Топология
Н мост
Электрический монтаж
Press-in PCB

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены