Конструкция диода
диод/транзистор
Корпус
L2.2
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
GD15PJX65L2S
Обратное напряжение макс.
650В
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Технология
Trench FS IGBT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
15А
Ток коллектора в импульсе
30А
Топология
3-фазный диодный мост, 3-фазный мост IGBT выход OE, boost chopper, термистор NTC
Электрический монтаж
Press-in PCB
Отзывы не найдены