GD15PJY120L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А

GD15PJY120L2S
6 72727 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
12+
24+
Цена
5 958.33 ₽
5 353.22 ₽
4 977.27 ₽
Доступность: 21 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "GD15PJY120L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А" 1.

Артикул производителя
GD15PJY120L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
диод/транзистор
Корпус
L2.2
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
GD15PJY120L2S
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Технология
Advanced Trench FS IGBT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
15А
Ток коллектора в импульсе
30А
Топология
3-фазный диодный мост, 3-фазный мост IGBT выход OE, boost chopper, термистор NTC
Электрический монтаж
Press-in PCB

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены