Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
C6 62mm
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
GD200FFX65C6S
Обратное напряжение макс.
650В
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Технология
Trench FS IGBT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
200А
Ток коллектора в импульсе
400А
Топология
3-фазный мост IGBT, термистор NTC
Электрический монтаж
Press-in PCB
Отзывы не найдены