Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

GD200HFY120C8S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

Написать отзыв
GD200HFY120C8S
000 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "GD200HFY120C8S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
GD200HFY120C8S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
C8 48mm
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
GD200HFY120C8S
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Технология
Advanced Trench FS IGBT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
200А
Ток коллектора в импульсе
400А
Топология
полумост IGBT
Электрический монтаж
винтами, коннекторы FASTON

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены