GD20PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А

GD20PJX65F1S
6 77729 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
25+
Цена
6 002.64 ₽
5 382.92 ₽
5 033.45 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "GD20PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А" 1.

Артикул производителя
GD20PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
диод/транзистор
Корпус
F1.1
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
GD20PJX65F1S
Обратное напряжение макс.
650В
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Технология
Trench FS IGBT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
20А
Ток коллектора в импульсе
40А
Топология
3-фазный диодный мост, 3-фазный мост IGBT выход OE, boost chopper, термистор NTC
Электрический монтаж
Press-in PCB

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены