Конструкция диода
диод/транзистор
Корпус
F1.1
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
GD20PJX65F1S
Обратное напряжение макс.
650В
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Технология
Trench FS IGBT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
20А
Ток коллектора в импульсе
40А
Топология
3-фазный диодный мост, 3-фазный мост IGBT выход OE, boost chopper, термистор NTC
Электрический монтаж
Press-in PCB
Отзывы не найдены